### 1. 产品简介详细：
型号：76609D-VB
封装：TO252
配置：单N沟道
耐压（VDS）：100V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
阈值电压（Vth）：1.8V
导通电阻（RDS(ON)）：114mΩ @ VGS=10V
漏极电流（ID）：15A
技术：Trench
### 2. 详细的参数说明：
- **型号**：76609D-VB
- **封装**：TO252
- **配置**：单N沟道
- **耐压（VDS）**：100V
- **栅极-源极电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：1.8V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：114mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）**：15A
- **技术**：Trench
### 3. 适用领域和模块示例：
76609D-VB MOSFET适用于多种领域和模块，例如：
- **电源管理**：用于低至100V的开关电源和稳压器件中，提供高达15A的电流驱动能力。特别适合于DC-DC转换器、稳压器和逆变器的应用，确保稳定和高效的电能转换。
- **电动工具**：在电动工具中作为电机驱动器件，如电动剪刀、电动推土机等，能够提供快速的开关速度和低导通电阻，以增强工具的动力性能和使用寿命。
- **工业自动化**：在工业控制系统中，如PLC输出驱动、机器人控制和各种电子设备的电源管理，保证设备运行的稳定性和可靠性。
76609D-VB MOSFET因其优异的导通特性和高电压、高电流处理能力，适用于需要高功率密度、高效率和长期可靠性的各种电子应用场景。