7N60LL-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 7N60LL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

### 一、7N60LL-VB 产品简介

7N60LL-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用Plannar技术制造,封装形式为TO220。具有600V的耐压能力和适中的功率特性,适合于需要高效能量转换和稳定电源控制的应用场合。

### 二、7N60LL-VB 详细参数说明

- **封装类型**:TO220
- **配置**:单N沟道
- **耐压(VDS)**:600V
- **栅源电压(VGS)**:±30V
- **门限电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
 - 1070mΩ @ VGS = 4.5V
 - 780mΩ @ VGS = 10V
- **最大连续漏极电流(ID)**:8A
- **技术**:Plannar

### 三、7N60LL-VB 应用领域和模块示例

7N60LL-VB 可以在多个领域和模块中广泛应用,以下是几个典型的示例:

1. **电源逆变器**:
  在太阳能逆变器和风力发电逆变器中,7N60LL-VB 作为开关器件,用于将直流电转换为交流电。其600V的耐压能力和低导通电阻特性确保了高效率和长期稳定运行。

2. **电动汽车充电桩**:
  在电动汽车充电桩中,7N60LL-VB 用于控制和调节充电电流,确保快速和安全的充电过程。其高耐压和适中的导通电阻使其成为适用于高压充电环境的理想选择。

3. **工业电源供应**:
  在工业设备的电源模块和变频器中,7N60LL-VB 提供了可靠的电源管理解决方案。其稳定的电性能和高效能量转换特性适合于工业自动化和电力电子设备。

4. **消费电子**:
  在消费电子产品如电源适配器和LED照明系统中,7N60LL-VB 提供了紧凑和高效的电力管理解决方案。其TO220封装和Plannar技术使其能够适应各种紧凑型设计和功率需求较低的应用场景。

7N60LL-VB 作为一款稳定性高、耐压能力优越的N沟道MOSFET,为各种高功率应用提供了可靠的功率控制和管理能力。

--- 数据手册 ---