### 80N3LLH6-VB DFN8(5X6) MOSFET 产品简介
80N3LLH6-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 Trench 技术制造，封装为 DFN8(5X6)，适用于紧凑空间和高性能要求的应用场合。该 MOSFET 在 30V 的漏源电压 (VDS) 下工作，栅源电压 (VGS) 为 ±20V，阈值电压 (Vth) 约为 1.7V。具有极低的导通电阻和高达120A 的漏极电流能力，适合于需要高功率密度和低压操作的电子设备。
### 80N3LLH6-VB DFN8(5X6) 详细参数说明
- **封装形式**：DFN8(5X6)
- **配置**：单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**：30V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 5mΩ @ VGS=4.5V
- 3mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：120A
- **技术**：Trench
### 适用领域和模块举例
#### 电动工具和电动车辆控制器
80N3LLH6-VB DFN8(5X6) 可以广泛应用于电动工具和电动车辆的控制系统中。其紧凑的封装和高功率密度，使其特别适合于需要高效能耗管理和快速响应的电动驱动器模块。
#### 移动设备充电管理
在移动设备的快速充电管理系统中，80N3LLH6-VB DFN8(5X6) 的低导通电阻和高电流能力，能够有效地提高充电效率和系统稳定性，支持各种电池管理和充电控制应用。
#### 电源模块和 DC-DC 变换器
在各种电源模块和 DC-DC 变换器中，需要能够处理高电流和低电压操作的功率开关器件。80N3LLH6-VB DFN8(5X6) 的优异特性确保了在紧凑空间内提供高效的电源管理和功率转换。
#### 无线通信基站
在无线通信基站的功率放大器和调制器中，80N3LLH6-VB DFN8(5X6) 可以提供高功率输出和稳定的信号处理能力，支持无线网络的高速数据传输和信号覆盖扩展。
80N3LLH6-VB DFN8(5X6) 是一款适用于高功率密度和低电压操作的 MOSFET，具备优异的导通特性和高电流处理能力，适合各种需要紧凑尺寸和高性能要求的电子设备和应用场景。