### 产品简介
968EA-VB 是一款TSSOP8封装的双N沟道MOSFET，配置为Common Drain-N+N-Channel，采用Trench技术。这款MOSFET适合于需要高效能转换和低导通电阻的电路设计。
### 详细参数说明
- **型号**: 968EA-VB
- **封装**: TSSOP8
- **配置**: Common Drain-N+N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: 20V
- **栅源电压 (VGS)**: ±12V
- **阈值电压 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 18mΩ @ VGS = 2.5V
- 14mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏极电流 (ID)**: 7.6A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
968EA-VB 在以下领域和模块中展示了其应用潜力：
1. **电源管理和转换器**
- 在电源逆变器、DC-DC转换器和电源管理单元中，968EA-VB 可以用作功率开关和电源管理器件。其低导通电阻和高效能转换特性，有助于提高能源利用率和系统效率。
2. **电池管理和充电电路**
- 在便携式电子设备、无线传感器和电动工具的电池管理和充电电路中，968EA-VB 可以用于电池保护、充电管理和功率转换。其能够在低栅源电压下实现低导通电阻，延长电池寿命并提高设备的稳定性。
3. **汽车电子**
- 在汽车电子系统如电动车辆、车载电源和电动马达控制中，968EA-VB 可以用于电池管理、马达驱动和高效率转换器。其高电流承受能力和快速开关特性，适合于汽车环境下的高温和高功率应用。
968EA-VB MOSFET 通过其优异的电性能和适应多样化应用的能力，成为现代电子设备和系统中的重要组成部分，为提升设备性能和效率提供了稳定可靠的解决方案。