### 969B-VB MOSFET 产品简介
969B-VB是一款双P+P-沟道MOSFET，采用先进的Trench技术，封装形式为TSSOP8。该MOSFET在-20V的漏源电压条件下，具有优异的导通特性和低导通电阻，适合需要双通道负向电压控制的电子和电气设备。
### 969B-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装类型**: TSSOP8
- **配置**: 双P+P-沟道
- **漏源电压 (VDS)**: -20V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.2V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 18mΩ @ VGS = 4.5V
- 13mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: -7.5A
- **技术**: Trench
### 969B-VB MOSFET 应用领域和模块示例
969B-VB MOSFET适用于多种需要双P+P-沟道负向电压控制和高功率密度的电子和电气应用。以下是一些应用领域和模块示例：
1. **电源管理**:
- **双通道电源开关**: 在需要同时控制正负向电压的电源管理系统中，如双电池电源选择器和电源逆变器。
- **便携式电子设备**: 用于便携式电子设备的电源管理单元，支持多电池管理和高效能转换。
2. **汽车电子**:
- **车辆电子系统**: 在汽车电子系统中，用于双电池管理和电动车辆的动力电池管理，支持高功率密度的电机驱动和能量回收。
- **车载充电器**: 适用于电动车辆和混合动力车辆的双通道充电器设计，实现快速充电和电池保护功能。
3. **工业控制**:
- **电机控制**: 在需要同时驱动多电机或需要双通道电源管理的工业电机控制系统中，如机器人控制和自动化生产线。
- **电源开关**: 用于需要高效能转换和电源管理的工业自动化设备和电子控制系统。
通过以上示例，可以看出969B-VB MOSFET在多个领域中提供了双通道负向电压控制和高功率密度的解决方案，适用于复杂电子和电气应用的需求。