### 98E580-VB MOSFET
#### 一、产品简介
98E580-VB 是一款单 N 沟道功率 MOSFET，采用 SOT669 封装。该器件具有 80V 的漏源电压（VDS），最大栅源电压（VGS）为 ±20V，阈值电压（Vth）为 1.4V。98E580-VB 采用了先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻（RDS(ON)），在 VGS=4.5V 时为 7.2mΩ，在 VGS=10V 时为 6mΩ。最大连续漏极电流（ID）为 90A，适用于高功率负载开关和功率管理应用。
#### 二、详细参数说明
- **封装类型**：SOT669
- **配置**：单 N 沟道
- **漏源电压（VDS）**：80V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：1.4V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- VGS=4.5V 时：7.2mΩ
- VGS=10V 时：6mΩ
- **最大连续漏极电流（ID）**：90A
- **技术类型**：沟槽技术
#### 三、适用领域和模块举例
98E580-VB MOSFET 可以广泛应用于以下领域和模块：
- **电源管理**：适用于高功率电源开关和电源逆变器，如工业电源系统、电动工具和电动车辆。
- **电动驱动**：在需要高效能电动驱动的应用中，如电动船、电动机车和电动飞行器。
- **工业自动化**：用于机器人、自动化设备和自动控制系统中的功率开关和电机控制。
- **电动工具**：在高性能电动工具中的电源开关和电动驱动电路。
98E580-VB MOSFET 的高电流处理能力和低导通电阻使其成为许多需要高效能和可靠性的功率电子应用中的理想选择。