### 1. 产品简介详细
VBsemi MOSFET 9915GH-VB 是一款封装为TO252的单N沟道型MOSFET。具有以下主要特性：
- **VDS (漏极-源极电压)**: 20V
- **VGS (栅极-源极电压)**: ±20V
- **Vth (门槽电压阈值)**: 0.5~1.5V
- **RDS(ON) (导通时漏极-源极电阻)**:
- 6mΩ @ VGS=2.5V
- 4.5mΩ @ VGS=4.5V
- **ID (漏极电流)**: 100A
- **技术**: Trench 沟道技术
### 2. 参数说明
- **封装**: TO252
- **电压参数**:
- 最大漏极-源极电压 (VDS): 20V
- 最大栅极-源极电压 (VGS): ±20V
- **性能参数**:
- 阈值电压 (Vth): 0.5~1.5V
- 导通电阻 (RDS(ON)):
- 6mΩ @ VGS=2.5V
- 4.5mΩ @ VGS=4.5V
- **电流参数**:
- 最大漏极电流 (ID): 100A
- **技术**: Trench 沟道技术
### 3. 应用示例
9915GH-VB MOSFET 可以在多个领域和模块中得到应用：
- **电源模块**: 适用于高效的功率开关和电源管理，例如电源适配器和直流-直流转换器（DC-DC converters）中，能够提供高效的电流控制和低压降。
- **电动工具**: 在高功率电动工具的电源控制模块中，用于马达驱动和电流管理，确保设备稳定可靠的性能。
- **电动车辆**: 用于电动车辆的电池管理系统中，提供高效的能量转换和电流控制，以增强电动车辆的续航能力和充电效率。
以上示例展示了9915GH-VB MOSFET 在电源模块、电动工具和电动车辆领域的适用性，通过其高性能特性和可靠的技术，能够满足多种应用需求。