### 产品简介
**9980GJ-VB** 是一款由 VBsemi 公司生产的单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO251 封装。该型号的 MOSFET 具有 100V 的漏源电压（VDS）和最大 35A 的漏极电流（ID），采用先进的 Trench 技术，提供低导通电阻和高性能。
### 详细参数说明
- **封装类型**：TO251
- **配置**：单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**：100V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：36mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**：35A
- **技术**：Trench
### 应用领域和模块
**9980GJ-VB** MOSFET 在以下领域和模块中有广泛的应用：
1. **电源管理和开关电源**：由于其高漏源电压和适中的漏极电流特性，9980GJ-VB 可以用于高电压应用的开关模式电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电源逆变器。它能够有效地控制和转换电能，提高系统的效率和可靠性。
2. **电动工具和汽车电子**：在电动工具、汽车电子和电动车辆（EV）中，该型号的 MOSFET 可以作为电机驱动器和电源开关，支持高功率和快速开关操作，确保设备的高效性能和长寿命。
3. **工业控制和自动化**：9980GJ-VB 可用于工业自动化系统中的电机控制、电磁阀控制和传感器接口。其高可靠性和耐高压特性使其适合在工业环境中长期稳定运行。
4. **电源逆变器**：在各种电力电子应用中，例如太阳能逆变器和风能逆变器，9980GJ-VB 能够用于功率开关控制，有效地将直流电转换为交流电，提高能源转换效率和系统可靠性。
5. **消费电子产品**：在高性能消费电子产品如音响设备、计算机和电视机的电源管理和功率放大模块中，9980GJ-VB 提供稳定的电流和功率输出，支持设备的稳定运行和高效能表现。
通过以上例子可以看出，9980GJ-VB 是一款多功能、高性能的 MOSFET，适用于多种电子设备和系统中的功率管理和控制需求。