### 1. 产品简介
AP9987GM-VB 是一款双 N+N-沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造，适合于需要高效能和稳定性能的应用场合。其封装为SOP8，结合了双通道设计，提供了灵活的电路配置选项和优异的导通特性。
### 2. 参数说明
- **型号**: AP9987GM-VB
- **封装**: SOP8
- **结构**: 双 N+N-沟道
- **耐压 (VDS)**: 80V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 62mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 3.5A
- **技术**: Trench
### 3. 应用示例
AP9987GM-VB 在多个领域和模块中具有广泛的应用，例如：
- **电源管理**: 由于其双 N+N-沟道设计，适用于需要同时控制正负电压的电源管理应用，如电池管理系统和高效能开关电源。
- **电动工具**: 在便携式电动工具中，可以作为马达驱动器，提供高效的功率转换和电池管理，增强工具的使用寿命和性能。
- **电动车充电器**: 用于电动车充电器的功率开关，支持高电压和高效率的能量转换，确保充电速度和系统稳定性。
- **医疗设备**: 在医疗设备的电源管理模块中，提供可靠的电能转换和稳定的电压输出，保障医疗设备的安全运行和精确控制。
- **工业控制**: 在工业自动化和机器人控制系统中，作为开关和电流调节器，帮助实现精确的电力管理和设备自动化，提升生产效率和系统稳定性。
以上示例展示了 AP9987GM-VB 多功能的应用特性，利用其双通道设计和高性能特点，为各种电子设备和工业应用提供了灵活和可靠的解决方案。