AP9992AGI-HF-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: AP9992AGI-HF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

### AP9992AGI-HF-VB MOSFET 产品简介

AP9992AGI-HF-VB 是一款高性能的单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用TO220F封装。它设计用于高功率应用,具备极低的导通电阻和高电流承载能力。该器件采用先进的沟槽(Trench)技术制造,适合于各种要求高效能和可靠性的功率开关和电源管理应用。

### 详细参数说明

- **型号**: AP9992AGI-HF-VB
- **封装**: TO220F
- **配置**: 单N-沟道
- **漏源电压(VDS)**: 60V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 3V
- **导通电阻(RDS(ON))**: 
 - 5mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2.6mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID)**: 210A
- **技术**: Trench

### 应用领域和模块示例

1. **电动工具和电动车辆**:
  - 由于其极高的电流承载能力和低导通电阻,AP9992AGI-HF-VB 特别适用于电动工具(如电动钻、电动锯等)和电动车辆(如电动自行车、电动滑板车)中的电机驱动和电源管理模块。

2. **电源转换和逆变器**:
  - 在需要高效能和稳定性能的电源转换器和逆变器中,AP9992AGI-HF-VB 可作为主要的功率开关器件,实现有效的能量转换和电压调节。

3. **工业高功率设备**:
  - 用于工业设备中的高功率控制和电流管理,例如电焊设备、工业电动机驱动和高功率电源单元,确保设备稳定运行和高效能输出。

4. **电动汽车充电设备**:
  - 在电动汽车充电桩和充电设备中,AP9992AGI-HF-VB 可以作为关键的功率开关器件,支持高功率充电需求并保持设备的稳定性和安全性。

AP9992AGI-HF-VB MOSFET 通过其高电流承载能力、低导通电阻和先进的Trench技术,在高功率应用和电源管理领域具有广泛的应用前景。

--- 数据手册 ---