AP9T16H-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: AP9T16H-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

### AP9T16H-VB MOSFET 产品简介

AP9T16H-VB 是一款单N沟道配置的高性能 MOSFET,采用TO252封装。它采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻和高漏极电流承载能力,适用于需要高效能耗和高可靠性的功率管理和开关控制应用。

### AP9T16H-VB 详细参数说明

- **封装类型**:TO252
- **配置**:单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**:20V
- **栅极-源极电压 (VGS)**:±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**:0.5~1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS = 2.5V
 - 4.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏极电流 (ID)**:100A
- **技术**:沟槽技术 (Trench)

### 应用领域及模块举例

AP9T16H-VB MOSFET 在以下领域和模块中具有广泛的应用:

1. **电动工具和电动车辆**:
  - 在电动工具如电钻、电动扳手和电动车辆的电机驱动系统中,AP9T16H-VB 可以作为功率开关器件,提供高效能的电力传输和控制。
  - 它的低导通电阻和高电流承载能力,能够支持电动工具和车辆在高负载下的稳定运行和快速响应。

2. **便携式电子设备**:
  - 在便携式电子设备如平板电脑、智能手机和便携式电源中,AP9T16H-VB 可以用作电池管理和功率开关元件。
  - 由于其小尺寸和高效能耗特性,能够延长电池使用时间并提升设备的性能表现。

3. **服务器和数据中心**:
  - 在服务器和数据中心的电源管理系统中,这款 MOSFET 可以用作电源开关器件,确保设备在高负载和高功率需求下的稳定供电。
  - 它的高电流承载能力和低导通电阻,有助于提高数据中心的能效比和减少冷却需求,从而降低运营成本。

4. **电动滑板车和电动自行车**:
  - 在个人电动交通工具的电动驱动系统中,AP9T16H-VB 可以提供高效能的电池管理和动力输出控制。
  - 它的高漏极电流和低导通损耗特性,使其成为电动滑板车和自行车在城市交通中的理想选择,提升车辆的性能和续航能力。

通过以上示例,可以看出 AP9T16H-VB MOSFET 在多个高功率和高效率的电子应用中都具有重要的作用,为各种关键电子系统提供可靠的功率管理和控制解决方案。

--- 数据手册 ---