APM2014NU-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: APM2014NU-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

### 1. 产品简介

APM2014NU-VB 是一款单 N-沟道 MOSFET,采用先进的 Trench 技术制造,适用于高电流和中功率应用场合。其封装为 TO252,具有低导通电阻和高效能转换能力,特别适合需要高电流承载和低压操作的电子设备和工业应用。

### 2. 参数说明

- **型号**: APM2014NU-VB
- **封装**: TO252
- **结构**: 单 N-沟道
- **耐压 (VDS)**: 20V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS = 2.5V
 - 4.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **连续漏极电流 (ID)**: 100A
- **技术**: Trench

### 3. 应用示例

APM2014NU-VB 在多个领域和模块中具有广泛的应用,例如:

- **电源模块**: 适用于高效率的电源开关模块,如笔记本电脑和平板电脑的电源管理系统,提供高效的能量转换和稳定的电压输出。
- **电动工具**: 在电动工具的电机驱动系统中,作为功率开关器件,支持高电流和高效能的电能转换,提升工具的性能和使用寿命。
- **电动车辆**: 在电动汽车的电动机控制和电池管理系统中,用于高电流承载和低压操作的关键部件,支持车辆动力系统的高效能转换和安全运行。
- **服务器和数据中心**: 在服务器和数据中心的电源管理和功率分配系统中,提供稳定的电能转换和电流调节,确保设备运行的高效性和可靠性。
- **工业自动化**: 在工业控制系统中,作为电源开关和电流控制器件,支持自动化设备的高效能转换和精确的电力管理,提升生产效率和稳定性。

以上示例展示了 APM2014NU-VB 多方面的应用优势,利用其低导通电阻、高电流承载和稳定性能,为各种电子设备和工业应用提供可靠的解决方案。

--- 数据手册 ---