APM2101SGC-TRL-VB一款Single-P沟道SC70-8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: APM2101SGC-TRL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

### 1. 产品简介详述:

APM2101SGC-TRL-VB是一款单P沟道场效应管(MOSFET),采用了Trench技术制造,封装形式为SC70-8。它具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于低压和高效能的电子设备和电源管理应用。

### 2. 详细参数说明:

- **包装形式:** SC70-8
- **VDS(漏极-源极电压):** -20V
- **VGS(栅极-源极电压):** ±20V
- **阈值电压(Vth):** -0.8V
- **静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):**
 - 24mΩ @ VGS = 4.5V
 - 20mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID):** -6.5A
- **技术类型:** Trench

### 3. 应用示例:

该产品适用于以下领域和模块:

- **便携式电子设备:** 在智能手机、平板电脑和便携式电源等设备中,APM2101SGC-TRL-VB可以用作电源开关和电池管理系统中的保护开关,确保高效的功率转换和延长电池寿命。

- **电源管理模块:** 在各种电源管理模块中,该P沟道MOSFET可以实现高效的电能转换和稳压功能,适用于稳压器和低压降稳压器(LDO)等应用。

- **消费类电子产品:** 在便携式音频设备、耳机放大器和无线通信模块中,APM2101SGC-TRL-VB可以提供低功耗和高效能的电能管理,确保设备在各种工作模式下的稳定性能。

- **计算机和外围设备:** 在笔记本电脑、台式机和外部存储设备中,该MOSFET可以用作电源开关和保护电路,提供可靠的电流开关和过流保护。

这些应用示例展示了APM2101SGC-TRL-VB在低压和高效能电子设备中的广泛应用,其优异的电气特性使其成为各种便携式电子设备和电源管理系统的理想选择。

--- 数据手册 ---