APM2510NUC-TRL-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: APM2510NUC-TRL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

### 1. 产品简介详述:

APM2510NUC-TRL-VB是一款单N沟道场效应管(MOSFET),采用了Trench技术制造,封装形式为TO252。它具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于中功率电子设备和电源管理系统。

### 2. 详细参数说明:

- **包装形式:** TO252
- **VDS(漏极-源极电压):** 30V
- **VGS(栅极-源极电压):** ±20V
- **阈值电压(Vth):** 1.7V
- **静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):**
 - 6mΩ @ VGS = 4.5V
 - 5mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID):** 80A
- **技术类型:** Trench

### 3. 应用示例:

该产品适用于以下领域和模块:

- **电源管理单元(PMU):** 在移动设备、智能手机和平板电脑等便携式电子设备的电源管理单元中,APM2510NUC-TRL-VB可以作为功率开关器件,实现高效的电能转换和延长电池使用时间。

- **电动工具和电机驱动:** 在需要处理中等功率负载和高电流要求的电动工具、电动车辆驱动系统和电机控制中,该MOSFET能够提供可靠的电流开关和精确的功率控制。

- **DC-DC转换器:** 在通信设备、工业控制系统和服务器的DC-DC转换器中,APM2510NUC-TRL-VB可以提供稳定的电压输出和高效的功率转换,适用于各种电源管理和电能转换应用。

- **汽车电子系统:** 在汽车电子系统中,如车载电池管理、电动座椅控制和车载电源控制模块中,该MOSFET可以支持高效的电能管理和安全的电子控制功能。

这些示例展示了APM2510NUC-TRL-VB在中功率电子设备和电源管理系统中的广泛应用,其优异的电气特性和可靠性使其成为各种工业和消费类电子设备的理想选择。

--- 数据手册 ---