APM2558NU-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: APM2558NU-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

### 1. 产品简介

APM2558NU-VB 是一款单 N-沟道 MOSFET,采用先进的 Trench 技术制造,适用于高电流和高效能转换的应用。其封装为 TO252,具有极低的导通电阻和优异的开关特性,适合要求高效能和高性能的电子设备和工业应用。

### 2. 参数说明

- **型号**: APM2558NU-VB
- **封装**: TO252
- **结构**: 单 N-沟道
- **耐压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 3mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 100A
- **技术**: Trench

### 3. 应用示例

APM2558NU-VB 在多个领域和模块中具有广泛的应用,例如:

- **电源管理**: 适用于高效能电源开关和稳压器件,特别是在低电压电源管理中,如笔记本电脑、平板电脑、服务器电源和其他便携式电子设备中,用于高效能转换和能量管理。
 
- **电动工具**: 在电动工具和马达驱动器中,作为高电流开关器件,支持电动工具的高效率运行和长时间使用。
 
- **电动车充电器**: 在电动车充电器和电动车电源管理系统中,用于高效率能量转换和电池充电控制,提高充电速度和能源利用率。
 
- **工业自动化**: 在工业自动化设备中,如PLC、伺服驱动器和工业电子控制系统,作为电源开关和驱动器件,提高设备的可靠性和工作效率。

以上示例展示了 APM2558NU-VB 多方面的应用优势,利用其高电流承载能力、低导通电阻和高效能转换特性,为各种工业和消费电子设备提供可靠的电源管理和能效优化解决方案。

--- 数据手册 ---