APM3006NUC-TRL-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: APM3006NUC-TRL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

### APM3006NUC-TRL-VB 产品简介

APM3006NUC-TRL-VB 是一款单 N 沟道功率 MOSFET,采用了先进的槽沟技术,适合需要高效能和稳定性能的电路设计。它具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于多种应用场合。

### 详细参数说明

- **型号**: APM3006NUC-TRL-VB
- **封装**: TO252
- **通道类型**: 单 N 沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 3mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 100A
- **技术**: 槽沟技术 (Trench)

### 应用示例

APM3006NUC-TRL-VB 可以在以下领域和模块中得到广泛应用:

- **电源管理**: 适用于高效能的开关电源和稳压器,保证电能转换的效率和稳定性,例如用于笔记本电脑和工业电源系统中。

- **电动工具**: 在电动工具的电池驱动和功率控制模块中,APM3006NUC-TRL-VB 可以提供强大的功率开关能力和低损耗特性,增强设备的性能和使用时间。

- **汽车电子**: 用作车辆电子系统中的电机驱动和电池管理单元,支持电动车辆和混合动力车辆的高效能动力管理。

这些示例展示了 APM3006NUC-TRL-VB 在不同领域中的应用优势和适用性。

--- 数据手册 ---