APM9928KC-TRL-VB一款Dual-N+P沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: APM9928KC-TRL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

公司logo

微碧半导体VBsemi

1.3w內容 |  31w+浏览量  |  7粉丝

+关注

--- 产品详情 ---

### APM9928KC-TRL-VB 产品简介

APM9928KC-TRL-VB 是一款高性能双 N+P-Channel MOSFET,封装在 SOP8 封装中。该 MOSFET 采用先进的沟槽技术,提供优异的开关性能和低导通电阻,适合各种需要高效电源管理和开关控制的应用。

### 详细参数说明

- **封装:** SOP8
- **配置:** 双 N+P-Channel
- **漏极-源极电压 (VDS):** ±30V
- **栅极-源极电压 (VGS):** 20(±V)
- **阈值电压 (Vth):** 1.6V(N-Channel),-1.7V(P-Channel)
- **导通电阻 (RDS(ON)):**
 - N-Channel:4.5V 时 24mΩ,10V 时 18mΩ
 - P-Channel:4.5V 时 50mΩ,10V 时 40mΩ
- **连续漏极电流 (ID):** ±8A
- **技术:** 沟槽技术

### 应用领域和模块

1. **电源管理电路:**
  - APM9928KC-TRL-VB 的低导通电阻和双 N+P-Channel 配置使其非常适合用于电源管理电路,例如 DC-DC 转换器和电源稳压模块。它能够高效地控制电源流动,提高系统的转换效率。

2. **负载开关:**
  - 由于其双 MOSFET 配置,该型号非常适合用于负载开关应用。在各种电子设备中,它可以有效地控制负载的开关操作,例如在电池供电设备中实现高效的负载切换。

3. **电机控制:**
  - APM9928KC-TRL-VB 的高电流承载能力和低 RDS(ON) 特性使其在电机控制系统中表现优异。例如,在直流电机驱动器中,该 MOSFET 可以稳定地驱动电机,并优化控制性能。

4. **功率放大器:**
  - 该 MOSFET 的优良开关性能和低功耗特性使其适合用于功率放大器设计中,如音频功率放大器和射频功率放大器。它能够有效地提高功率放大器的性能和效率。

5. **便携式设备:**
  - APM9928KC-TRL-VB 的 SOP8 封装适合于紧凑的便携式设备应用。在这些设备中,MOSFET 的高效电源控制和低功耗特性有助于延长电池寿命和提高设备整体性能。

总之,APM9928KC-TRL-VB 是一款多用途的双 N+P-Channel MOSFET,适用于电源管理、负载开关、电机控制、功率放大器和便携式设备等领域,提供高效、可靠的电源控制和开关解决方案。

--- 数据手册 ---