APM9936KC-TRL-VB一款Dual-N+P沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: APM9936KC-TRL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

### 产品简介

**APM9936KC-TRL-VB**是一款高性能的双N+P通道MOSFET,采用SOP8封装,专为需要双极性开关的应用设计。该MOSFET使用沟槽技术(Trench Technology),具有高电流处理能力和低导通电阻,适合用于各种电源管理和开关电路。其双通道配置使其能够处理更复杂的开关任务,广泛应用于电源转换、负载开关以及高效能电子系统中。

### 详细参数说明

- **封装类型**:SOP8
- **配置**:双N+P通道
- **漏源电压 (VDS)**:±30V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.6V(N通道) / -1.7V(P通道)
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - @VGS=4.5V:24mΩ(N通道) / 50mΩ(P通道)
 - @VGS=10V:18mΩ(N通道) / 40mΩ(P通道)
- **漏极电流 (ID)**:±8A
- **技术**:沟槽技术

### 应用领域和模块举例

1. **电源管理**:
  - **APM9936KC-TRL-VB**的双N+P通道配置使其在电源管理系统中表现出色。其能够处理双极性电流,适合用于电源转换器中的双向开关操作,提高电源的稳定性和效率。它适用于DC-DC转换器、电池管理系统及电源适配器等领域。

2. **负载开关**:
  - 在负载开关应用中,**APM9936KC-TRL-VB**能够高效控制双极性负载,提供稳定的开关性能。其低导通电阻和高电流能力使其适用于电动机驱动、负载开关以及其他需要双极性开关的应用中,确保系统的可靠性和高效运行。

3. **高效能电子系统**:
  - **APM9936KC-TRL-VB**也适合用于高效能电子系统中,例如汽车电子设备和工业控制系统。其双N+P通道设计能够处理复杂的开关任务,适应高电流和高负载的工作环境,提高整体系统的性能和稳定性。

**APM9936KC-TRL-VB**凭借其高电流处理能力、低导通电阻和双通道配置,在电源管理、负载开关及高效能应用中提供了稳定可靠的性能,是工程师设计高效能电路的理想选择。

--- 数据手册 ---