APT18M80B-VB一款Single-N沟道TO247的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: APT18M80B-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

### 产品简介

**APT18M80B-VB** 是一种高电压 N-沟道 MOSFET,封装形式为 TO247。这款 MOSFET 采用先进的 SJ_Multi-EPI 技术,专为高压应用设计。它具有较高的耐压能力和较大的电流承载能力,非常适合用于高电压和高功率的电子设备中,能够提供稳定的开关性能和高效能的功率管理。

### 详细参数说明

- **型号**: APT18M80B-VB
- **封装**: TO247
- **配置**: 单 N-沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 800V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 
 - 370mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 15A
- **技术**: SJ_Multi-EPI

### 应用领域及模块示例

**APT18M80B-VB** 的特性使其在以下领域和模块中表现出色:

1. **电源转换器**:
  - 由于其高耐压能力和较大的电流承载能力,APT18M80B-VB 非常适合用于高压 DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器。它能够处理高功率转换任务并确保电源系统的稳定性,广泛应用于工业电源、太阳能逆变器和高压电源模块中。

2. **电动汽车**:
  - 在电动汽车的电池管理系统和电机驱动模块中,APT18M80B-VB 能够有效处理高电压和高功率的开关需求,提升系统的可靠性和性能,确保电动汽车的高效能和安全性。

3. **高功率开关**:
  - 适用于高功率开关应用,如电力控制设备和高压开关电源。其高耐压和高电流特性使其能够在高功率条件下稳定运行,适合用于需要高开关效率和长寿命的场合。

4. **工业设备**:
  - 在工业自动化和控制系统中,APT18M80B-VB 可用于电机驱动、高压电源供应和电力开关模块,提供高效能和稳定性,支持各种工业设备的高功率需求。

通过其优异的电气性能和高耐压特性,**APT18M80B-VB** 成为高电压和高功率应用中不可或缺的关键组件。

--- 数据手册 ---