APT20M34BLL-VB一款Single-N沟道TO247的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: APT20M34BLL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

### APT20M34BLL-VB 产品简介

APT20M34BLL-VB 是一款单 N 通道 MOSFET,封装形式为 TO247。该 MOSFET 采用高性能沟道技术,设计用于高电压和高电流应用。其出色的导电性能和高耐压能力使其特别适合用于高功率电源和开关应用。这款 MOSFET 具有较低的导通电阻和高电流承载能力,能够在苛刻的工作条件下提供可靠的性能。

### 详细参数说明

- **封装形式**:TO247
- **配置**:单 N 通道
- **漏极-源极电压 (VDS)**:200V
- **栅极-源极电压 (VGS)**:20V (±V)
- **阈值电压 (Vth)**:4V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 10V 时:21mΩ
- **连续漏极电流 (ID)**:96A
- **技术**:沟道技术

### 应用领域举例

1. **电源转换器**:
  - **示例**:在高功率电源转换器和逆变器中使用。APT20M34BLL-VB 的高电压和电流能力使其能够处理高功率输出和高电压输入,提高电源转换效率和稳定性。

2. **工业电机驱动**:
  - **示例**:用于工业电机驱动和控制系统中。其高电流承载能力和低导通电阻确保电机的稳定控制和高效运行,适合大功率电机应用。

3. **电动汽车**:
  - **示例**:在电动汽车的动力系统和充电系统中应用。APT20M34BLL-VB 的高耐压和高电流特性能够处理电动汽车中的高功率需求,提升系统的整体性能和可靠性。

4. **高功率开关**:
  - **示例**:用于高功率开关和负载控制电路。MOSFET 的高电流能力和低 RDS(ON) 特性有助于实现高效开关控制,适合高功率负载应用。

APT20M34BLL-VB 的高电流处理能力和耐高压特性使其在多个高功率应用中表现出色,特别适合用于需要高效能和稳定性的电源管理和开关操作。

--- 数据手册 ---