### 产品简介
**APT20M36BLL-VB**是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO247封装。这款MOSFET利用沟槽技术（Trench Technology），具有高电压耐受能力和高电流处理能力，非常适合用于高功率和高电压的应用场景。其低导通电阻和高漏极电流能力使其在功率转换、开关控制以及各种高效能电源模块中表现优异。
### 详细参数说明
- **封装类型**：TO247
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**：200V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：4V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- @VGS=10V：21mΩ
- **漏极电流 (ID)**：96A
- **技术**：沟槽技术
### 应用领域和模块举例
1. **电源转换**：
- **APT20M36BLL-VB**的高漏源电压和高电流处理能力使其在电源转换应用中非常有效。它能够处理大功率的电源转换任务，适合用于高功率DC-DC转换器、电源适配器以及其他需要高电压和高电流的电源模块。
2. **功率放大器**：
- 在功率放大器应用中，该MOSFET由于其高电流容量和低导通电阻，能够提供稳定的功率输出。它适用于音频放大器、电机驱动以及其他需要高功率处理的应用，帮助实现高效的功率转换和放大。
3. **工业设备**：
- **APT20M36BLL-VB**在工业设备中的应用也非常广泛。它可以用于电力电子设备中的开关控制，如逆变器、变频器等，因其高电压和高电流能力能够确保设备在高负载下稳定运行。
4. **高电压开关**：
- 该MOSFET也适用于高电压开关应用。例如，在电力传输和分配系统中，**APT20M36BLL-VB**可以作为高电压开关使用，保证系统的可靠性和高效运行。
**APT20M36BLL-VB**凭借其高电压耐受能力、低导通电阻和高电流处理能力，是在高功率、高电压应用中的理想选择，为设计工程师提供了稳定高效的解决方案。