APT30N60BC6-VB一款Single-N沟道TO247的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: APT30N60BC6-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

### 产品简介

**APT30N60BC6-VB** 是一种高电压、高电流 N-沟道 MOSFET,封装形式为 TO247。这款 MOSFET 采用先进的 SJ_Multi-EPI 技术,专为高电压和高功率应用设计。具有高耐压、高电流承载能力以及相对较低的导通电阻,使其在高效能电源管理和功率开关领域表现优异。

### 详细参数说明

- **型号**: APT30N60BC6-VB
- **封装**: TO247
- **配置**: 单 N-沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 650V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 
 - 75mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 47A
- **技术**: SJ_Multi-EPI

### 应用领域及模块示例

**APT30N60BC6-VB** 的特性使其在以下领域和模块中表现出色:

1. **电源转换器**:
  - 由于其高耐压和高电流承载能力,APT30N60BC6-VB 适用于高电压 DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器。它能处理高功率转换任务,广泛应用于工业电源、太阳能逆变器和高压电源模块,确保高效能和稳定性。

2. **电动汽车**:
  - 在电动汽车的电池管理系统和电机驱动模块中,APT30N60BC6-VB 能够有效处理高电压和高功率开关需求,提高系统的性能和可靠性。适用于电动汽车的电力控制和驱动系统,支持高效能和安全性。

3. **高功率开关**:
  - 适用于高功率开关应用,如高压电源和电力控制设备。其高电压和高电流能力使其能够稳定运行在高功率条件下,适合于需要高开关效率和长寿命的应用场景。

4. **工业设备**:
  - 在工业自动化和控制系统中,APT30N60BC6-VB 可用于高压电源供应、电机驱动和电力开关模块,提供高效能和稳定性,满足各种工业设备的高功率需求。

通过其卓越的电气性能和高耐压特性,**APT30N60BC6-VB** 成为高电压和高功率应用中的关键组件。

--- 数据手册 ---