AUFR2607Z-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: AUFR2607Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

### 产品简介

AUFR2607Z-VB 是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO252封装,专为高压和高电流应用设计。它使用先进的沟槽技术,提供低导通电阻和高电流能力,确保在各种苛刻的工作条件下实现高效和可靠的性能。

### 详细参数说明

- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 100V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 18mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 45A
- **技术**: 沟槽型

### 应用领域和模块

1. **电源转换**: AUFR2607Z-VB 非常适合用于电源转换模块,如DC-DC转换器和电源适配器。它的低导通电阻和高电流能力使其能够提供稳定、高效的电源转换,适应多种功率要求的应用。

2. **电机驱动**: 在电机驱动应用中,如电动工具、电动自行车和工业电机控制,该MOSFET 提供了优良的电流承载能力和高开关频率,确保电机在高负载条件下的高效运行。

3. **汽车电子**: AUFR2607Z-VB 适用于汽车电子系统中的高电流应用,例如电动助力转向(EPS)和汽车电池管理系统(BMS)。它能够处理高电压和高电流,同时保持良好的热性能。

4. **功率放大器**: 在功率放大器电路中,该MOSFET 的高电流承载能力和低导通电阻使其成为理想选择,确保放大器具有高效的性能和低功耗。

5. **LED驱动**: AUFR2607Z-VB 可用于LED驱动电路中,尤其是在需要高电流和稳定性的场合。其低导通电阻能够提高LED系统的整体效率和寿命。

AUFR2607Z-VB 的这些特性和应用使其成为许多高电压、高电流系统中重要的组件,适用于各种需要高效和可靠性能的应用场景。

--- 数据手册 ---