### 产品简介
AUIRFR3504ZTRR-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，采用 TO-252 封装，具有优良的电气特性和高效能。它的主要特点包括低导通电阻（RDS(ON)）、高耐压以及宽广的栅极驱动电压范围，适用于高功率和高频率应用。此器件具有 40V 的漏源耐压，能够承受高达 85A 的漏极电流，适合用于各种电力电子和电源管理模块。
### 详细参数说明
- **型号**: AUIRFR3504ZTRR-VB
- **封装**: TO-252
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 40V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS = 4.5V
- 5mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 85A
- **技术**: 沟槽型
### 应用领域与模块
AUIRFR3504ZTRR-VB MOSFET 适用于以下领域和模块：
1. **电源管理系统**：高效的开关和电流承载能力使其在电源转换器和电源供应模块中表现出色，提供稳定的电流控制和低导通损耗。
2. **电动汽车**：在电动汽车的驱动系统中，MOSFET 的高电流处理能力和低导通电阻帮助提高整体能效，支持电池管理和动力控制模块。
3. **电机控制**：用于高效驱动直流电机和步进电机，在变频器和伺服控制系统中提供精确的控制和高效能。
4. **开关电源**：在开关电源模块中，由于其低导通电阻和高电流能力，可以有效提高开关效率，减少功率损耗。
5. **DC-DC 转换器**：在高功率 DC-DC 转换器中，MOSFET 的低 RDS(ON) 和高电流能力有助于降低转换损耗并提高转换效率。