V-GaN 系列INN040W048A氮化镓芯片,耐压40V,导通电阻4.8mΩ,支持双向导通。具备无体二极管、低导通阻抗等特性,仅用1颗就能代替两颗硅MOSFET。同时采用WLCSP2.1mmx2.1mm的封装,为终端产品节省系统空间的同时,有效降低了系统能耗。

深圳市莱明顿电子科技有限公司
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V-GaN 系列INN040W048A氮化镓芯片,耐压40V,导通电阻4.8mΩ,支持双向导通。具备无体二极管、低导通阻抗等特性,仅用1颗就能代替两颗硅MOSFET。同时采用WLCSP2.1mmx2.1mm的封装,为终端产品节省系统空间的同时,有效降低了系统能耗。

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