ISG612xTD SolidGaN IC是700V E-Mode GaN 功率 IC，Rdson 范围为 22mΩ~59mΩ（最大25C）。
ISG612xTD系列采用精密Vgs栅极驱动器、快速短路保护和 TO247-4L 封装，具有出色的热性能。这些配置使系统设计人员能够实现具有 Titanium Plus 效率的高频开关，功率密度比传统方案高2~3倍。该系列产品还配备了内置保护，包括DESAT保护、输入UVLO和OTP，能够进一步确保设备的稳健性和系统安全性。
产品性能
· 集成700V，22mΩ~59mΩ E-Mode GaN和高精度栅极钳位
· 兼容IGBT，Si MOSFET，SiC引脚，可直接替换
· 10V~24V输入电压范围支持主流驱动器和控制器生态
· 内置米勒钳位，无需负压关断，支持高达100V/ns开关速度
· 集成短路保护，欠压保护，过温保护，增加系统鲁棒性
应用优势
▶ 高开关频率
▶ 高功率密度
▶ 高散热能力
▶ 高抗干扰能力
▶ 简单易用
▶ 高可靠性
应用领域
· 适合500W-4KW大功率电源和马达驱动
· 可广泛应用于服务器电源，空调电源，汽车OBC
作为行业首发的大功率合封氮化镓产品，ISG612XTD SolidGaN IC将先进的700V E型GaN FET无缝集成，为电力电子的性能、易用性和可靠性设定了全新标准，有望成为高效率、高安全性的终端应用系统的关键器件。