TT Electronics/Optek原厂代理商 深圳市汇通创新科技有限公司
描述
HCC1000（直插 TO-78）与 HCC1001（表贴 SMD）是专为深空与近地轨道任务设计的耐辐射光耦隔离器。内部将一颗高亮度 IRLED 与一颗低噪声 NPN 光敏晶体管以光学方式耦合，通过 MIL-PRF-19500 TXV 级芯片工艺制造，可在 100 krad(SI) 总电离剂量及 1×10¹² n/cm²（14 MeV）中子环境下保持参数稳定。1 kV 输入-输出隔离电压可有效阻断接地环路、浪涌与单粒子瞬态，同时保留基极端子，允许用户像普通晶体管一样外接偏置电阻，实现增益微调或阈值迟滞。
核心特性
耐总电离剂量（TID）≥ 100 krad(SI)，低剂量率增强（ELDRS）0.1 rad/s 条件下无参数漂移
耐中子辐射 ≥ 1×10¹² n/cm²（14 MeV），适用于核推进、深空探测器等强辐射场景
芯片级可追溯性符合 MIL-STD-19500 TXV 级，可按要求升级至 SCD（用户专用控制图）
1 kV DC 连续隔离，输入-输出间电容 ≤ 5 pF，共模瞬态抗扰度 > 15 kV/μs
宽温工作 –55 °C 至 +150 °C，存储温度同范围，无塑料封装带来的热老化风险
金属气密封装：TO-78 与 6 引脚陶瓷 SMD，漏率 < 1×10⁻⁸ atm·cc/s，可在真空及温度循环 2000 次后仍保持气密
提供基极引脚，可外接电阻调节光耦增益或实现关断加速，兼顾高速与低功耗
上升/下降时间典型 20 µs（RL=100 Ω，IF=10 mA），满足卫星电源反馈、科学仪器采样保持等中速隔离需求
单管脚布局与工业 4N 系列兼容，可直接替换升级现有线路，无需重新布线
电气亮点
LED 侧：正向电压 1.7 V@10 mA，反向耐压 2 V，连续电流 40 mA（≤65 °C），功耗 60 mW晶体管侧：V(BR)CEO 40 V，V(BR)CBO 45 V，连续集电极电流 50 mA，功耗 300 mW（25 °C，3 mW/°C 线性降额）电流传输比 CTR：IF=10 mA、VCE=5 V 时最小 10 %，典型 15 %；IF=1 mA 时仍可保证 2 mA 输出电流，方便低功耗唤醒设计饱和压降 VCE(sat) ≤ 0.30 V（IF=20 mA，IC=10 mA），可直接驱动 CMOS 或低电压逻辑，无需额外缓冲
典型应用
卫星电源母线电压采样与误差隔离放大，配合 PWM 控制器实现耐辐射 DC-DC 闭环
深空探测器载荷配电箱，对相机、质谱仪、雷达等科学仪器做“功率-信号”双隔离，防止单粒子闭锁扩散
运载火箭级间分离火工品驱动，利用基极引脚外接电容实现“充电-触发”时序，提高安全性
行星着陆器电机编码器接口，隔离火星尘暴引起的静电放电与地电位漂移
核医疗与高能物理实验，前放与主控系统之间提供耐辐射、低噪声脉冲隔离
高可靠工业场景：井下钻探、聚变装置、粒子加速器，替代普通塑封光耦，免维护寿命 > 15 年
153+2370+6628 平经理