雪崩光电二极管通过施加反向电压产生内部增益,具有比PIN光电二极管更高的信噪比(SNR),更快的时间响应,更高的灵敏度以及更低的暗电流。光谱响应范围通常在200-1150nm之间。我司生产的高增益高速响应的硅雪崩光电二极管,性能优越,广泛应用于微光探测、光学测距等领域。
激光测距-激光雷达用雪崩二极管APD
型号:
全系列
恩弼科技
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雪崩光电二极管通过施加反向电压产生内部增益,具有比PIN光电二极管更高的信噪比(SNR),更快的时间响应,更高的灵敏度以及更低的暗电流。光谱响应范围通常在200-1150nm之间。我司生产的高增益高速响应的硅雪崩光电二极管,性能优越,广泛应用于微光探测、光学测距等领域。
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