TT多用途硅DMOS射频场效应管 5W - 12.5V- 1GHz
规格
制造商 TT
包装/案例 SOIC-8
配置 双重的
Id - 连续漏极电流 4个
最高工作温度 + 150 摄氏度
安装方式 贴片/贴片
工作频率 1GHz
输出功率 5 瓦
打包 块
Pd - 功耗 17.5 瓦
产品类别 射频 MOSFET 晶体管
技术 硅
晶体管极性 N通道
类型 射频功率 MOSFET
Vds - 漏源击穿电压 40 伏
Vgs th - 栅源阈值电压 0.5V 至 7V
应用
HF/VHF/UHF 通信
从 1MHz 到 1GHz
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