DRAM动态随机存储器 K4B4G1646E-BYK0

型号: K4B4G1646E-BYK0

--- 产品参数 ---

封装/箱体： 96FBGA
Voltage： 1.35 V
Org： 512M x 8
类型：动态存储器芯片
Density： 4Gb
速度： 1600 Mbps
工作温度区间： 0 ~ 85 °C
工作电压： 1.35 V

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港驰科讯电子

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