DU28200M
射频功率 MOSFET 晶体管 200W，2-175MHz，28V
数字金属氧化物半导体
射频功率 MOSFET 晶体管 200W，2-175MHz，28V
数字金属氧化物半导体
特征
- N 沟道增强型器件
- 噪声系数低于双极器件
- 高饱和输出功率
- 用于宽带操作的较低电容
- DMOS结构
产品规格
零件号
DU28200M
描述
射频功率 MOSFET 晶体管 200W，2-175MHz，28V
最小频率(MHz)
2个
最大频率(MHz)
175
偏压(V)
28.0
噘嘴（W）
200.00
增益（分贝）
13:00
效率（％）
55
类型
数字金属氧化物半导体
包裹
法兰陶瓷包
包裹类别
陶瓷法兰安装
MRF275G UF2805B
MRF160 UF2840P
MRF151G DU2805S
MRF154 DU2820S
MRF157 DU28200M
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MRF136 UF28100M
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