DU28120V
射频功率 MOSFET 晶体管 120W，2-175MHz，28V
数字金属氧化物半导体
射频功率 MOSFET 晶体管 120W，2-175MHz，28V
数字金属氧化物半导体
特征
- N 沟道增强型器件
- 噪声系数低于双极器件
- 高饱和输出功率
- 用于宽带操作的较低电容
- DMOS结构
产品规格
零件号
DU28120V
描述
射频功率 MOSFET 晶体管 120W，2-175MHz，28V
最小频率(MHz)
2个
最大频率(MHz)
175
偏压(V)
28.0
噘嘴（W）
120.00
增益（分贝）
13:00
效率（％）
60
类型
数字金属氧化物半导体
包裹
法兰陶瓷包
包裹类别
陶瓷法兰安装
DU28120V MAAM-010651
UF2805B MAAM-011100
UF2840P LAND-011045
DU2805S MAAD-011054-DIE
DU2820S MAAD-011055
DU28200M MAAD-011056-DIE
UF2810P MAAD-011057
UF2820P MAAD-011053
UF28100M LAND-011035
UF28100V LAND-011036
UF2840G MAAD-011038-DIE