DU2880T
1 个射频功率 MOSFET 晶体管 80W，2-175MHz，28V
数字金属氧化物半导体
1 个射频功率 MOSFET 晶体管 80W，2-175MHz，28V
数字金属氧化物半导体
特征
- N 沟道增强型器件
- 噪声系数低于双极器件
- 高饱和输出功率
- 用于宽带操作的较低电容
- DMOS结构
产品规格
零件号
DU2880T
描述
1 个射频功率 MOSFET 晶体管 80W，2-175MHz，28V
最小频率(MHz)
2个
最大频率(MHz)
175
偏压(V)
28.0
噘嘴（W）
80.00
增益（分贝）
13:00
效率（％）
60
类型
数字金属氧化物半导体
包裹
法兰陶瓷包
包裹类别
陶瓷法兰安装
MRF166W DU1215S
MRF141G DU2810S
MRF151 DU2880T
MRF137 LF2805A
MRF150 UF2815B
MRF171A DU28120V
MRF275G UF2805B
MRF160 UF2840P
MRF151G DU2805S
MRF154 DU2820S