DU2810S
射频功率 MOSFET 晶体管 10W，2-175MHz，28V
射频功率 MOSFET 晶体管 10W，2-175MHz，28V
射频功率 MOSFET 晶体管 10W，2-175MHz，28V
射频功率 MOSFET 晶体管 10W，2-175MHz，28V
特征
- N 沟道增强型器件
- 低本底噪声
- 公共源配置
- 用于宽带操作的较低电容
- DMOS结构
产品规格
零件号
DU2810S
描述
射频功率 MOSFET 晶体管 10W，2-175MHz，28V
最小频率(MHz)
2个
最大频率(MHz)
175
偏压(V)
28.0
噘嘴（W）
10.00
增益（分贝）
13:00
效率（％）
55
类型
数字金属氧化物半导体
包裹
法兰陶瓷包
包裹类别
陶瓷法兰安装
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