DU1215S
射频功率 MOSFET 晶体管 15W，2-175MHz，12V
数字金属氧化物半导体
射频功率 MOSFET 晶体管 15W，2-175MHz，12V
数字金属氧化物半导体
特征
- N沟道增强型器件
- 专为 12 伏应用而设计
- 比双极器件更低的噪声系数
- 高饱和输出功率
- 用于宽带操作的较低电容
- DMOS结构
产品规格
零件号
DU1215S
描述
射频功率 MOSFET 晶体管 15W，2-175MHz，12V
最小频率(MHz)
2个
最大频率(MHz)
175
偏压(V)
12.0
噘嘴（W）
15.00
增益（分贝）
9.50
效率（％）
60
类型
数字金属氧化物半导体
包裹
法兰陶瓷包
包裹类别
陶瓷法兰安装
MRF166W DU1215S
MRF141G DU2810S
MRF151 DU2880T
MRF137 LF2805A
MRF150 UF2815B
MRF171A DU28120V
MRF275G UF2805B
MRF160 UF2840P
MRF151G DU2805S