MRF148A
线性射频功率 MOSFET 30W，至 175MHz，50V
设计用于工业、商业和业余无线电设备中频率达 175MHz 的功率放大器应用。
线性射频功率 MOSFET 30W，至 175MHz，50V
设计用于工业、商业和业余无线电设备中频率达 175MHz 的功率放大器应用。
特征
- 高级高阶 IMD - IMD(d11) (30W PEP)：–60 dB（典型值），IMD(d3) (30W PEP)：–35 dB（典型值）
- 使用 30:1 VSWR 对所有相位角的负载失配进行 100% 测试
- 较低的反向传输电容（3.0 pF 典型值）
- 指定 50V、30MHz 特性：18dB（典型值），输出功率：30W，效率：40%（典型值）
产品规格
零件号
MRF148A
描述
线性射频功率 MOSFET 30W，至 175MHz，50V
最小频率(MHz)
5个
最大频率(MHz)
175
偏压(V)
50.0
噘嘴（W）
30.00
增益（分贝）
18:00
效率（％）
40
类型
TMOS
包裹
法兰陶瓷包
包裹类别
法兰安装
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