MRF140
RF MOSFET 线路 30W，至 400MHz，28V
主要设计用于高达产品图片 150 MHz 频率范围的线性大信号输出级。
RF MOSFET 线路 30W，至 400MHz，28V
主要设计用于高达产品图片 150 MHz 频率范围的线性大信号输出级。
特征
- N 沟道增强模式
- IMD(d11)（150 W PEP）：–60 dB（典型值）
- 高级高阶 IMD
- 指定的 28 伏特、30 MHz 特性 - 输出功率 = 150 瓦，功率增益 = 15 dB（典型值），效率 = 40%（典型值）
- 使用 30:1 VSWR 对所有相位的负载失配进行 100% 测试
- IMD(d3)（150 W PEP）：–30 dB（典型值）
产品规格
零件号
MRF140
描述
RF MOSFET 线路 30W，至 400MHz，28V
最小频率(MHz)
5个
最大频率(MHz)
150
偏压(V)
28.0
噘嘴（W）
150.00
增益（分贝）
15.00
效率（％）
40
类型
TMOS
包裹
法兰陶瓷包
包裹类别
陶瓷法兰安装
MRF175GV PH3134-65M MRF140
NPT2018 PH3135-65M MRF321
LF2805A MAPR-001090-350S00 PH3134-55L
NPT2021 MRF136 PH2931-20M
MRF393 MRF421 MRF1004MB
PH1113-100 PH1617-2 PH3135-5M
MRF317 PH1214-300M MAPR-001011-850S00
PH1090-75L DU28120T PH2856-160
DU1215S PH1214-6M PH3135-20M