| VDS (V) | 25 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 2.3 |
| Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) | 1.6 |
| IDM - pulsed drain current (Max) (A) | 240 |
| QG typ (nC) | 21 |
| QGD typ (nC) | 5.2 |
| QGS typ (nC) | 8.3 |
| Package (mm) | SON5x6 |
| VGS (V) | 16 |
| VGSTH typ (V) | 1.5 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 261 |
| ID - package limited (A) | 100 |
| Logic level | Yes |
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- SON 5mm × 6mm 塑料封装
这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 25V、1.3mΩ NexFET?功率 MOSFET 旨在最大限度降低功率转换 应用中的功率损耗。