MSS30-CR53-H40
硅肖特基 N 型二极管：低势垒
MSS30,000 系列肖特基二极管采用专有工艺在 N 型外延基板上制造，可产生业内最高的 FCO。每个二极管的 LO 功率为 -3 dBm 至 +3 dBm，可获得最佳混频器性能。这些也可用于倍增器、限幅器、检测器和采样器应用。
硅肖特基 N 型二极管：低势垒
MSS30,000 系列肖特基二极管采用专有工艺在 N 型外延基板上制造，可产生业内最高的 FCO。每个二极管的 LO 功率为 -3 dBm 至 +3 dBm，可获得最佳混频器性能。这些也可用于倍增器、限幅器、检测器和采样器应用。
特征
- VF、RD 和 CJ 匹配选项。
- 可根据 MIL-PRF-19500 和 MIL-PRF-38534 进行高可靠性筛选。
- 芯片、梁式引线或封装器件。
产品规格
零件号
MSS30-CR53-H40
描述
硅肖特基 N 型二极管：低势垒
Vf(V)
0.3000
Vb
2.00
总电容(pF)
0.330
动态电阻（欧姆）
15.0
包裹类别
陶瓷封装
包裹
H40
MSS39-045-C15 MSS30-046-C15 MSS30-B53-E45
MSS30-148-B10B MSS30-B46-E45 MSS30-442-E45
MSS40-148-B10B MSS30-CR53-H40 MSS60-244-B20
MSS40-048-C15 MSS40-PCR46-B47 MSS50-046-P86
MSS60-846-B80 MSS40-045-P86 MSS40-CR46-E45
MSS50-046-P55 MZB604-CS19-1 MSS50-146-0402
MZB604-CS11 MSS39-148-E25 MSS30-PCB46-B48
MSS20-047-H27 MSS30-050-P55 MSS39-152-E25
MSS30-248-E35 MGR705 MSS60-B53-H40
MSS39-152-H20 MSS30-154-B10B MSS30-PCR46-B47
MSS30-448-B42 MSS40-CR46-H40 MSS30-442-B42