MSS30-CR53-E45
硅肖特基 N 型二极管：低势垒
MSS30,000 系列肖特基二极管采用专有工艺在 N 型外延基板上制造，可产生业内最高的 FCO。每个二极管的 LO 功率为 -3 dBm 至 +3 dBm，可获得最佳混频器性能。这些也可用于倍增器、限幅器、检测器和采样器应用。
硅肖特基 N 型二极管：低势垒
MSS30,000 系列肖特基二极管采用专有工艺在 N 型外延基板上制造，可产生业内最高的 FCO。每个二极管的 LO 功率为 -3 dBm 至 +3 dBm，可获得最佳混频器性能。这些也可用于倍增器、限幅器、检测器和采样器应用。
特征
- VF、RD 和 CJ 匹配选项。
- 可根据 MIL-PRF-19500 和 MIL-PRF-38534 进行高可靠性筛选。
- 芯片、梁式引线或封装器件。
产品规格
零件号
MSS30-CR53-E45
描述
硅肖特基 N 型二极管：低势垒
Vf(V)
0.3000
Vb
2.00
总电容(pF)
0.220
动态电阻（欧姆）
15.0
包裹类别
陶瓷封装
包裹
E45
MSS39-045-P86 MSS30-CR53-E45 MSS39-152-0805-2
MSS40-455-H40 MSS39-148-0805-2 MSS40-045-P55
MSS39-148-H20 MSS20-140-0402 MSS20-141-B10D
MSS25-047-C15c MSS20-055-T86 MZB604-C15P
MSS20-141-0402 MSS20-046-0805-2 MSS40-B46-E45
MSS30-346-E25 MSS30-154-E25 MSS30-B53-H40
MSS30-242-E35 MSS30-454-H40 MSS30-046-P55
MSS20-050-T86 MSS25-049-C15c MSS40-141-E25
MSS40-155-H20 MSS39-148-0402 MSS39-048-P86
MSS39-146-0805-2 MSS20-146-B10D MSS30-050-C15
MSS30-CR46-B49 MSS20-145-0402 MSS20-143-B10D
MSS30-254-E35 MAMF-011024 MAMF-011057