MSS30-CR46-H40
硅肖特基 N 型二极管：低势垒
MSS30,000 系列肖特基二极管采用专有工艺在 N 型外延基板上制造，可产生业内最高的 FCO。每个二极管的 LO 功率为 -3 dBm 至 +3 dBm，可获得最佳混频器性能。这些也可用于倍增器、限幅器、检测器和采样器应用。
硅肖特基 N 型二极管：低势垒
MSS30,000 系列肖特基二极管采用专有工艺在 N 型外延基板上制造，可产生业内最高的 FCO。每个二极管的 LO 功率为 -3 dBm 至 +3 dBm，可获得最佳混频器性能。这些也可用于倍增器、限幅器、检测器和采样器应用。
特征
- VF、RD 和 CJ 匹配选项。
- 可根据 MIL-PRF-19500 和 MIL-PRF-38534 进行高可靠性筛选。
- 芯片、梁式引线或封装器件。
产品规格
零件号
MSS30-CR46-H40
描述
硅肖特基 N 型二极管：低势垒
Vf(V)
0.3000
Vb
2.00
总电容(pF)
0.270
动态电阻（欧姆）
22.0
包裹类别
陶瓷封装
包裹
H40
MSS20-051-T86 MSS30-346-H20 MSS30-448-E45
MSS40-155-E25 MSS40-PCB46-B48 MSS40-148-E25
MSS20-142-0402 MSS20-051-H27 MSS20-050-E25
MSS20-047-0805-2 MSS39-048-P55 MSS39-148-B10B
MSS30-B53-B45 MSS30-242-H30 MSS39-152-0402
MSS30-B46-H40 MSS30-CR46-H40 MZB600-19-6
MSS20-054-C15 MSS20-051-C15 MSS60-144-E25
MSS60-444-B42 MSS60-448-B42 MSS60-248-E35
MSS60-444-H40 MZB600-B11 MZB600-32
MZB600-C15P MSS60-444-E45 MSS60-848-E45