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深圳市鑫琅图科技有限公司

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MSS30-CR46-E45

硅肖特基 P 型二极管:低势垒

MACOM 的肖特基二极管针对采用专有工艺的 P 型硅外延基板上的卓越 1/f 噪声进行了优化。通常,当用作微波检测器时,对于低于 -20 dBm 的小功率电平,它们需要小的正向偏置 (5 ~ 50 µA)。

 

硅肖特基 P 型二极管:低势垒

MACOM 的肖特基二极管针对采用专有工艺的 P 型硅外延基板上的卓越 1/f 噪声进行了优化。通常,当用作微波检测器时,对于低于 -20 dBm 的小功率电平,它们需要小的正向偏置 (5 ~ 50 µA)。

 

 

特征

  • 出色的 1/f 噪声。
  • 用氮化硅钝化。
  • 低屏障高度。
  • 比零偏置肖特基二极管更好的温度稳定性。

 

 

产品规格

零件号

 

MSS30-CR46-E45

描述

 

硅肖特基 P 型二极管:低势垒

Vf(V)

 

0.3000

Vb

 

2.00

总电容(pF)

 

0.160

动态电阻(欧姆)

 

22.0

包裹类别

 

陶瓷封装

包裹

 

E45

 

 

 

MSS20-146-0402               MSS20-046-H27               MSS20-047-E25

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