MA4E2040
GaAs 高阻隔系列三通
MACOM 的 MA4E2037 和 MA4E2038 单二极管、MA4E2039 反并联对和 MA4E2040 系列三通是砷化镓束引线肖特基势垒二极管。这些器件是在 OMCVD 外延晶圆上制造的，采用专为实现高器件均匀性和极低寄生效应而设计的工艺。砷化镓的高载流子迁移率导致串联电阻低于具有等效电容的硅肖特基，从而降低噪声系数和转换损耗。二极管用氮化硅完全钝化，并有一层额外的聚合物用于防刮擦。保护涂层可防止在处理过程中损坏结点和阳极气桥。这些二极管的高截止频率允许通过毫米波频率使用。典型应用包括 PCN 收发器和无线电、汽车雷达系统和警用雷达探测器中的单平衡和双平衡混频器。MA4E2039 反并联对设计用于次谐波泵浦混频器。RF 输入端高 LO 抑制中二极管特性的紧密匹配。
GaAs 高阻隔系列三通
MACOM 的 MA4E2037 和 MA4E2038 单二极管、MA4E2039 反并联对和 MA4E2040 系列三通是砷化镓束引线肖特基势垒二极管。这些器件是在 OMCVD 外延晶圆上制造的，采用专为实现高器件均匀性和极低寄生效应而设计的工艺。砷化镓的高载流子迁移率导致串联电阻低于具有等效电容的硅肖特基，从而降低噪声系数和转换损耗。二极管用氮化硅完全钝化，并有一层额外的聚合物用于防刮擦。保护涂层可防止在处理过程中损坏结点和阳极气桥。这些二极管的高截止频率允许通过毫米波频率使用。典型应用包括 PCN 收发器和无线电、汽车雷达系统和警用雷达探测器中的单平衡和双平衡混频器。MA4E2039 反并联对设计用于次谐波泵浦混频器。RF 输入端高 LO 抑制中二极管特性的紧密匹配。
特征
- 低串联电阻
- 多种配置
- 氮化硅钝化
- 高截止频率
- 低电容
产品规格
零件号
MA4E2040
描述
GaAs 高阻隔系列三通
Vf(V)
0.8000
Vb
4.50
总电容(pF)
0.050
动态电阻（欧姆）
4.0
结电容(pF)
0.050
包裹类别
梁铅
包裹
梁铅