MA4E2532L-1113
医学。Barrier Si Ring Quad
MA4E2532-1113 系列 SURMOUNTTM 中低势垒硅肖特基环形四极二极管采用获得专利的异石微波集成电路 (HMIC™) 工艺制造。HMIC™ 电路由形成二极管的硅基座或嵌入玻璃电介质中的导体构成，玻璃电介质充当低色散、低损耗的微带传输介质。硅和玻璃的结合使 HMIC™ 器件在薄型、可靠的设备中具有出色的损耗和功耗特性。Surmount 肖特基器件是要求梁式引线器件的小寄生效应与芯片的卓越机械性能相结合的电路的绝佳选择。Surmount 结构采用电阻非常低的硅通孔将肖特基触点连接到芯片底面上的金属化安装垫。这些设备是可靠的、可重复的，并且是比传统设备成本更低的解决方案。与传统的梁式引线肖特基二极管相比，它们对静电放电的敏感性更低。
医学。Barrier Si Ring Quad
MA4E2532-1113 系列 SURMOUNTTM 中低势垒硅肖特基环形四极二极管采用获得专利的异石微波集成电路 (HMIC™) 工艺制造。HMIC™ 电路由形成二极管的硅基座或嵌入玻璃电介质中的导体构成，玻璃电介质充当低色散、低损耗的微带传输介质。硅和玻璃的结合使 HMIC™ 器件在薄型、可靠的设备中具有出色的损耗和功耗特性。Surmount 肖特基器件是要求梁式引线器件的小寄生效应与芯片的卓越机械性能相结合的电路的绝佳选择。Surmount 结构采用电阻非常低的硅通孔将肖特基触点连接到芯片底面上的金属化安装垫。这些设备是可靠的、可重复的，并且是比传统设备成本更低的解决方案。与传统的梁式引线肖特基二极管相比，它们对静电放电的敏感性更低。制造 Surmount 肖特基结时采用的多层金属化包括铂扩散阻挡层，它允许所有器件在 300°C 下进行 16 小时的非工作稳定烘烤。“0505”轮廓允许表面贴装放置和多功能极性方向。与传统的梁式引线肖特基二极管相比，它们对静电放电的敏感性更低。制造 Surmount 肖特基结时采用的多层金属化包括铂扩散阻挡层，它允许所有器件在 300°C 下进行 16 小时的非工作稳定烘烤。“0505”轮廓允许表面贴装放置和多功能极性方向。与传统的梁式引线肖特基二极管相比，它们对静电放电的敏感性更低。制造 Surmount 肖特基结时采用的多层金属化包括铂扩散阻挡层，它允许所有器件在 300°C 下进行 16 小时的非工作稳定烘烤。“0505”轮廓允许表面贴装放置和多功能极性方向。
特征
- 极低的寄生电容和电感
- 降低对 ESD 损坏的敏感性
- 具有扩散屏障的可靠多层金属化，100% 稳定烘烤（300°C，16 小时）
- 具有聚酰亚胺防刮擦保护的坚固 HMIC 结构
- 可在微波电路中进行表面贴装，无需引线键合
产品规格
零件号
MA4E2532L-1113
描述
医学。Barrier Si Ring Quad
Vf(V)
0.4400
Vb
5.00
总电容(pF)
0.180
动态电阻（欧姆）
16.0
结电容(pF)
0.160
包裹类别
表面贴装模具
包裹
ODS-1113