MADS-001318-1451
可焊GaAs倒装芯片肖特基二极管
MADS-001318-1451 反并联对是砷化镓倒装芯片肖特基势垒二极管。该器件采用 OMCVD 外延材料制造，采用专为实现高器件均匀性和极低寄生效应而设计的工艺。该二极管已用氮化硅完全钝化，并具有额外的聚酰亚胺层以防止划伤。保护涂层可防止在自动或手动处理过程中损坏接头。倒装芯片配置适用于拾取和放置插入。该设备可以用焊料或导电环氧树脂连接。该二极管的高截止频率允许通过毫米波频率使用。典型应用包括 PCN 收发器和无线电中的单平衡和双平衡混频器、警用雷达探测器和汽车雷达探测器。这些设备可在 80 GHz 以下使用。MA4E1318 反并联对设计用于次谐波泵浦混频器。二极管特性的紧密匹配导致 RF 输入端的高 LO 抑制。
可焊GaAs倒装芯片肖特基二极管
MADS-001318-1451 反并联对是砷化镓倒装芯片肖特基势垒二极管。该器件采用 OMCVD 外延材料制造，采用专为实现高器件均匀性和极低寄生效应而设计的工艺。该二极管已用氮化硅完全钝化，并具有额外的聚酰亚胺层以防止划伤。保护涂层可防止在自动或手动处理过程中损坏接头。倒装芯片配置适用于拾取和放置插入。该设备可以用焊料或导电环氧树脂连接。该二极管的高截止频率允许通过毫米波频率使用。典型应用包括 PCN 收发器和无线电中的单平衡和双平衡混频器、警用雷达探测器和汽车雷达探测器。这些设备可在 80 GHz 以下使用。MA4E1318 反并联对设计用于次谐波泵浦混频器。二极管特性的紧密匹配导致 RF 输入端的高 LO 抑制。
特征
- 低串联电阻
- 高截止频率
- 低电容
- 氮化硅钝化
- 聚酰亚胺划痕保护
- 专为轻松插入电路而设计
- 可以用焊料或导电环氧树脂安装
产品规格
零件号
MADS-001318-1451
描述
可焊GaAs倒装芯片肖特基二极管
Vf(V)
0.7000
总电容(pF)
0.050
动态电阻（欧姆）
4.0
结电容(pF)
0.025
包裹类别
死
包裹
表面贴装