MARP-BA56
背面雪崩光电二极管 56 GBaud
MARP-BA56 是一款背照式雪崩光电二极管 (APD) 芯片。该芯片可在 1250 至 1650 nm 范围内使用，并且在与低噪声放大器耦合时能够具有非常高的灵敏度，适用于高达 56 Gb/s NRZ 和 112 Gb/s PAM4 调制的传输应用。该 APD 采用专有设计用于高量子效率和出色的可靠性，满足密封产品的 Telcordia GR-468 可靠性标准，并且符合 RoHS* 标准。该产品最适合用于密封组件。可提供用于倒装芯片应用和芯片载板 (CoC) 配置的裸片。
特征
- 雪崩光电二极管芯片
- 高数据速率，56 Gb/s NRZ 和 112 Gb/s PAM4
- 高灵敏度，-16 dBm
- 250 - 1650 nm 波长范围
产品规格
零件号
MARP-BA56
描述
背面雪崩光电二极管 56 GBaud
带宽(GHz)
30.00
响应度(A/W)
4.20
电容(fF)
30.000
灵敏度
-16
包装类型
死