产品简介
DIODES 的 ZXGD3108N8 是一款 40V 有源 OR-ing MOSFET 控制器，设计用于驱动极低 R DS(ON)功率 MOSFET 作为理想二极管。这取代了标准整流器以减少正向压降并整体提高功率传输效率。
ZXGD3108N8 可用于电压轨高达 ±40V 的高侧和低侧电源装置 (PSU)。它使 R DS(ON)非常低的MOSFET 能够作为理想二极管运行，因为关断阈值仅为 ‑3mV，容差为 ±2mV。在典型的 12V 配置中，待机功耗 <5mW，因为低静态电源电流 <400µA。在 PSU 故障条件下，OR'ing 控制器检测到功率降低并在 <600ns 内快速关闭 MOSFET，以阻止反向电流流动并避免公共总线电压下降。
产品规格
符合 AEC 标准 不
合规性（只有汽车支持 PPAP） 标准
电源电压 V CC (V) 25伏
漏极电压 V D (V) 40伏
源电流I SOURCE (A) 2个
灌电流 I SINK (A) 5个
关断时间 (td2) (ns) 400 纳秒
关断时间 (tf) (ns) 131纳秒
主要特征
用于高侧或低侧 PSU 的有源 OR'ing MOSFET 控制器
降低正向压降的理想二极管
-3mV 典型关断阈值，具有 ±2mV 容差
40V 漏极电压额定值
25V V CC额定值
<5mW 待机功耗，静态电源电流 <400µA
<600ns 关断时间以最大限度地减少反向电流
完全无铅且完全符合 RoHS 标准
不含卤素和锑。“绿色”设备
相关型号
ZXGD3108N8
ZXGD3111N7
ZXGD3112N7
ZXGD3114N7
ZXTR1005K4
ZXTR1005PD8
ZXTR1135PD8
ZXTR2005K
ZXTR2005P5
ZXTR2005Z
ZXTR2005ZQ
ZXTR2008K
ZXTR2008P5
ZXTR2008Z
ZXTR2012FF
ZXTR2012K
ZXTR2012P5
ZXTR2012Z
ZXTR2105F
ZXTR2105FF
ZXTR2105FFQ
ZXTR2105FQ
ZXTR2108F
ZXTR2108FQ
ZXTR2112F
ZXTR2112FQ