DS28E80为用户可编程非易失存储器芯片。与浮栅存储单元相比，DS28E80采用了耐γ辐射的存储单元技术。DS28E80具有248字节用户存储器，分成8字节大小的存储块，每个存储块可具有写保护，每个存储块可写8次。DS28E80通过单触点1-Wire®总线进行标准速率或高速率通信。每片器件都拥有唯一的64位识别码，由工厂写至芯片。通信符合1-Wire协议，在多器件的1-Wire网络中，64位识别码作为节点地址。
应用
- 鉴定和校准医疗工具/附件
- 医用消费品鉴定
- 高耐γ辐射能力，允许用户在医疗灭菌之前进行编程制造或校准数据
- 承受高达75kGy (千戈瑞) γ辐射
- 可重编程248字节用户存储器
- 较小的存储块大小，用户存储器编程较灵活
- 存储器分为8字节存储块
- 每个存储块可写8次
- 每个存储块均提供用户可编程写保护
- 高级1-Wire协议，将接口减小为单触点
- 紧凑的封装和单IO接口，减小电路板空间，增强可靠性
- 唯一的工厂编程64位识别码
- 1-Wire标准速率(最大15.3kbps)和高速(最大76kbps)通信
- 工作范围：3.3V ±10%，-40°C至+ 85°C，读操作；0°C至+50°C，写操作
- IO引脚具有±8kV HBM ESD保护(典型值)
- 6引脚TDFN封装
DS28E30
DS28E40
DS28E84
DS28E16
DS28E39
DS1964S
DS28E50
DS2477
DS28E83
DS28E36
DS28E38
DS28E80
DS2475
DS24L65
DS28E35
DS28EL22
DS28EL15
DS28E22
DS2465
DS28E15
DS28E25
DS28E02
DS28E10
DS28E01-100