栅极电源驱动器、 晶体管 MOSFET

型号: VNP35N07-E
品牌: ST(意法)

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港恒达半导体

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--- 产品详情 ---

参数

参数名称属性值
Brand NameSTMicroelectronics
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码SFM
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time18 weeks
Samacsys DescriptionNULL
配置COMPLEX
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)35 A
最大漏极电流 (ID)35 A
最大漏源导通电阻0.035 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)40 W
参考标准AEC-Q101
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)22500 ns
最大开启时间(吨)804200 ns