产品简介
DIODES 的DXTN10060DFJBWQ这款采用先进的工艺能力来最大限度地提高这款 60V、NPN 晶体管的性能。W-DFN2020-3/SWP（A 型）封装外形更小，降额高达 +175°C，可为功率密度至关重要的应用提供更高的耗散。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DXTN10060DFJBWQ
名称 60V NPN 低饱和 晶体管
产地 台湾
封装 W-DFN2020-3
产品参数
Category Low Saturation Transistor
Compliance(Only Automotive supports PPAP) Automotive
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 60
IC (A) 4
ICM (A) 6
PD (W) 1.8
hFE (Min) 340
hFE (@ IC) (A) 0.2
hFE(Min 2) 140
hFE (@ IC2) (A) 2
VCE(sat) Max (mV) 20
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.1/10
VCE(sat) (Max.2) (mV) 200
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/50
fT (MHz) 125
RCE(sat) (mΩ) 60
主要特征
BVCEO > 60V
IC = 4A 连续集电极电流
低饱和电压（最大 100mV @1A）
RSAT = 60mΩ，可实现低等效导通电阻
hFE 指定高达 6A，可实现高电流增益保持
更严格的增益规格
适用于薄型应用的薄型 0.62mm 高封装
AOI 中可湿性侧面的侧壁镀锡
RθJA 效率比 SOT23 低 60%
4mm2 占地面积，比 SOT23 小 50%
额定温度 +175°C – 高温环境的理想选择
相关型号
DSS60600MZ4Q
DSS60601MZ4Q
DXT2011P5Q
DXT5551P5Q
DXT651Q
DXT751Q
DXTC3C100PDQ
DXTN10060DFJBQ
DXTN10060DFJBWQ
DXTN3C100PDQ
DXTN3C100PSQ
DXTN3C60PSQ
DXTP03200BP5Q
DXTP07025BFGQ
DXTP07040CFGQ
DXTP07060BFGQ
DXTP07100BFGQ
DXTP22040CFGQ
DXTP22040DFGQ
DXTP3C100PDQ
DXTP3C100PSQ
DXTP3C60PSQ
DZT5551Q
DZTA42Q
FCX1053AQ
FCX458Q
FCX493Q
FCX558Q
FCX591AQ
FMMT38CQ
FMMT411FDBWQ
FMMT411Q
FMMT459Q
FMMT491Q
FMMT494Q
FMMT560Q
FMMT591Q
FMMT596Q
FMMT614Q
FMMT634Q
FMMTA92Q
FZT1053AQ
FZT603Q
FZT651Q
FZT653Q
FZT751Q
FZT855Q
MJD2873Q
MJD31CHQ
MJD31CUQ
MJD32CQ
MJD32CUQ
MJD41CQ
MJD42CQ
MMBT5551Q
MMBTH10Q
MMDT2222VQ